论坛账号至少一个月登录一次,否则会被自动冻结!论坛全站广告位出租300元一年,有需要联系QQ:154000559。下载资料E币不足?可以每日签到可获取E币,土豪则可以充值即可。
搜索
版图设计服务,首选奋芯电子 微信:13816911948
广告位出租:ML02 有需要联系QQ:2322712906。
欢迎大家来EDA1024硬件设计开发论坛学习交流!【eda1024.com】
广告位出租:ML04 有需要联系QQ:2322712906。
芯片版图外包,首选奋芯电子 微信:13816911948

[资源共享] 宽禁带半导体的优点

[复制链接]
查看: 44|回复: 0

3

主题

3

帖子

26

E币

实习生

Rank: 1

积分
3
QQ
发表于 2021-11-19 10:12:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体相比,宽禁带半导体的优点更加的突出。
宽禁带半导体主要具有以下四种优点:
1.宽禁带半导体材料具有较大的禁带宽度以及很高的击穿电场强度,使得宽禁带器件能够承受的峰值电压大幅度提高,器件的输出功率可获得大规模提升;
2.宽禁带材料具有高热导率、高化学稳定性等优点,使得功率器件可以在更加恶劣的环境下工作,可极大提高系统的稳定性与可靠性;
3.宽禁带材料抗辐射能力非常好,在辐射环境下,宽禁带器件对辐射的稳定性比Si器件高10至100倍,因此是制作耐高温、抗辐射的大功率微波功率器件的优良材料;
4.宽禁带半导体器件的结温高,故在冷却条件较差、热设计保障较差的环境下也能够稳定工作。
据我所知,这些品牌的产品大多数具有以上优点,比如:AVAGO、 IDT、TI、AD、INTERSIL、REI、QP、Q-TECH、MSC、IR 等。笔者入行不久,还在循序渐进的学习中,欢迎大家评论区探讨呢。

回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 入住EDA1024

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

QQ|Archiver|手机版|小黑屋|EDA1024硬件论坛 ( 苏ICP备15024581号 )

GMT+8, 2021-12-9 00:45 , Processed in 0.060122 second(s), 27 queries .

Powered by Discuz! X3.4

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

快速回复 返回顶部 返回列表