多项目晶圆流片和首次全掩膜工程产品流片有什么区别？
多项目晶元流片，翻译成白话就是一个片子上跑了很多种不同的芯片（或没有完整功能的样品）。具体的做法是一片wafer先划分出形状大小相同的chip阵列，每一个chip为一个die，然后再在其内部按照不同芯片项目所需面积划分出不同的区域，用于安置多种样品。多项目晶元流片可用于设计公司开发新品时对比不同的新设计，或者设置一些对照实验组；甚至不同公司的实验设计也可以集成到同一个MPW上，一起去流片，起到节约成本的作用。总的来说就是一个方便进行DOE并节省成本的实验方案。首次全掩膜工程产品流片则是当整个芯片设计定型，工艺流程跑通，process flow和各个recipe基本确定之后首次完整的验证性流片，整片wafer全部都是这一种芯片，完成后要依次通过良率，可靠性，失效分析等测试，根据测试结果有针对性的进行改进，继续流片。最终没问题后才能转入量产。该工程是介于process tuning和mass production之间的关键步骤。多项目晶圆流片是指MPW，设计人员可以在一片wafer上完成不同设计的产品，首次全掩模是指NTO，通常是MPW之后的第一次正式产品流片 谢谢分享 谢谢分享
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