enmsi 发表于 2023-11-7 14:29:42

ESD 高压保护问题请教

条件: diode_A      diode_B   HVPMOS
BV/Vt1       33v          31v         33v   
当PAD对VSSD放正电时,
PHV上得到达33V时,HVPMOS才会起作用,
但这时,已经达到diode_B的击穿电压,
那么diode_B会被击穿吗?从而让HVPMOS管不能正常保护?

页: [1]
查看完整版本: ESD 高压保护问题请教