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tenco
发表于 2023-5-30 21:02:08
cascode结构的GaN FET的优劣势?
Cascode结构(Si MOS+D-mode GaN FET)理论上是不能发挥GaN器件高频,高温的特性,但为什么PI和NXP先后推出cascode的GaN管呢?这种结构和E-mode相比有和优势?(除了驱动可以用Si基MOS的以外)
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