電容的比較
請問各位前輩:在IC LAYOUT 中,三明治電容和Metal1+Metal2所Lay成的電容,那個準確度比較高。為什麼?
因為就我知道是三明治電容的準確度較好,但是我不知道它好在那裡? 三明治指的是poly+metal1+metal2還是metal1+metal2+metal3或是...
以"精準度"而言,當然是使用metal1+metal2會較好(若不能用double poly的話),
原因有很多:像是
(1)三層的邊際電容(雜散)比兩層多.
(2)三層的層與層之間的距離誤差多一個.
(3)poly與metal的材料原質不同,衍生的電荷與電場也會不同.
(4)用了poly當底層,對substrate的電容...嘿嘿嘿.
(5)metal1+metal2可以拿poly來shielding."
(6)三層,再加上poly,以相同的layout能力而言,造成的RC一定較高.
不過metal1+metal2的單位電容值很小,對了,上面的第(4)點,也可以用well來shielding,只要是lay被動元件,都要特別注意shielding,well是很好用的shielding layer; 如果想要大一點的電容,
建議是用poly+diffusion layer(與一般穩壓的MOS電容不同喔)
基本上也不會不準到那裡去 谢谢分享
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